|
| Tên thương hiệu: | AHONY |
| Số mẫu: | eGo S200M |
| MOQ: | 10 miếng |
| giá bán: | $130.00/pieces 10-99 pieces |
200w tấm pin mặt trời bán linh hoạt HJT pin mặt trời Etfe Rv Awning Mô-đun nhánh trong suốt Mặt trời Off Grid Hệ thống mặt trời PV
1. thế hệ mới nhất 24% hiệu quả pin mặt trời
Các tế bào mặt trời HJT có chất lượng cao nhất, công nghệ mới nhất. Các tế bào mặt trời tăng 10%-20% năng lượng bằng cách sử dụng tấm lưng trong suốt.
2Công nghệ MBB giảm mất điện
Công nghệ 9BB đa thanh bus ở cả hai bên, khoảng cách giữa 2 thanh bus ít hơn, ít kháng cự và nhiều dòng điện hơn ngay cả thông qua vết nứt tế bào.
3. 3,22kg/m vật liệu siêu nhẹ
Ultralight,1.6kg chỉ cho 100w và 3.22kg mỗi mét vuông.
| Mô hình số. | eGo S200M |
| Tên sản phẩm | tấm pin mặt trời bán linh hoạt |
| Năng lượng tối đa[Wp] | 200 |
| Phòng pin mặt trời | Pin mặt trời HJT |
| Mảng tế bào [PC] | 4*9 |
| Hiệu quả tế bào | 220,5% |
| Kích thước[mm] | 680*1515*2 |
| Điện áp công suất tối đa Vmp[V] | 20.88 |
| Điện lực tối đa Imp[A] | 9.58 |
| Điện áp mạch mở Voc[V] | 24.43 |
| Điện mạch ngắn Isc[A] | 10.34 |
| Trọng lượng ròng[kg] | 3.20 |
| Độ dung nạp năng lượng[%] | ± 5% |
| NOCT[°C] | 45±2 |
| Nhiệt độ hoạt động[°C] | -40/+85 |
| Tỷ lệ nhiệt độ Pmax[%/°C] | - 0.41 |
| Tỷ lệ nhiệt Voc[[%/°C] | - 0.32 |
| Tỷ lệ nhiệt độ Isc[[%/°C] | 0.04 |
| Năng lượng hệ thống tối đa[V] | 1000 V |
| Điện ngược tối đa[A] | IR<2A-0 |
| Chứng nhận | CE ROHS |
| Bề mặt/bản sau | ETFE+AP2 |
| Phân tích uốn cong tối đa ((θ) | 60° |
| Cáp và đầu nối | Jbox IP65,0.9m cáp và 1 cặp kết nối MC4 |
| Điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn | STC: 1000W/m2, AM 1,5 và nhiệt độ tế bào 25°C |
| Các ghi chú khác | góc tròn R10, với mắt |
| Gói | 1pcs / polyethylene bọt ((EPE bọt), sau đó trong 1 hộp bìa |
