|
| Tên thương hiệu: | AHONY or OEM |
| Số mẫu: | eGo S210M |
| MOQ: | 10 bộ |
| giá bán: | $139.00/sets 10-99 sets |
| Khả năng cung cấp: | 20000 Bộ/Bộ mỗi tháng |
210w HJT pin mặt trời cao Phân tích mặt trời linh hoạt Etfe Rv Awning Off Grid Hệ thống mặt trời minh bạch Bificial Pv Module
1, thế hệ mới nhất 24% hiệu quả pin mặt trời
Các tế bào mặt trời HJT có chất lượng cao nhất, công nghệ mới nhất. Các tế bào mặt trời tăng 10%-20% năng lượng bằng cách sử dụng tấm lưng trong suốt.
2Công nghệ MBB giảm mất điện
Công nghệ 9BB đa thanh bus ở cả hai bên, khoảng cách giữa 2 thanh bus ít hơn, ít kháng cự và nhiều dòng điện hơn ngay cả thông qua vết nứt tế bào.
3. 3,22kg/m vật liệu siêu nhẹ
Ultralight,1.6kg chỉ cho 100w và 3.22kg mỗi mét vuông.
| Mô hình số. | eGo S210M |
| Tên sản phẩm | tấm pin mặt trời bán linh hoạt |
| Năng lượng tối đa[Wp] |
210 |
| Phòng pin mặt trời | HJT |
| Mảng tế bào [PC] | 4*9 |
| Hiệu quả tế bào | 24% |
| Kích thước[mm] | 670*1490*3 |
| Điện áp công suất tối đa Vmp[V] | 22.32 |
| Điện lực tối đa Imp[A] | 8.97 |
| Điện áp mạch mở Voc[V] | 26.33 |
| Điện mạch ngắn Isc[A] | 9.49 |
| Trọng lượng ròng[kg] | 3.2 |
| Độ dung nạp năng lượng[%] | ± 5% |
| NOCT[°C] | 45±2 |
| Nhiệt độ hoạt động[°C] | -40/+85 |
| Tỷ lệ nhiệt độ Pmax[%/°C] | - 0.41 |
| Tỷ lệ nhiệt Voc[[%/°C] | - 0.32 |
| Tỷ lệ nhiệt độ Isc[[%/°C] | 0.04 |
| Năng lượng hệ thống tối đa[V] | 1000 V |
| Điện ngược tối đa[A] | IR<2A-0 |
| Chứng nhận | CE ROHS |
| Bề mặt/bản sau | ETFE+AP2 |
| Phân tích uốn cong tối đa ((θ) | 60° |
| Cáp và đầu nối | Jbox IP65,0.9m cáp và 1 cặp kết nối MC4 |
| Điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn | STC: 1000W/m2, AM 1,5 và nhiệt độ tế bào 25°C |
| Các ghi chú khác | góc tròn R10, với mắt |
| Gói | 1pcs / polyethylene bọt ((EPE bọt), sau đó trong 1 hộp bìa |
